現貨現款 IC697MDL350 GE 通用電氣 模塊

現貨現款 IC697MDL350 GE 通用電氣 模塊

現貨現款 IC697MDL350 GE 通用電氣 模塊

中國上海，2023年8月29日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出業界[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于開始支持批量出貨。

類似上述的工業應用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品。然而，預計未來幾年內DC 1500V將得到廣泛應用，因此東芝發布了業界2200V產品。

MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導通電壓（傳感器）[2]。此外，它還具有較低的開通和關斷損耗，分別為14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗，用戶可采用模塊數量更少的兩電平電路取代傳統的三電平電路，有助于設備的小型化。

東芝將不斷創新，持續滿足市場對高效率和工業設備小型化的需求。

工業設備

-可再生能源發電系統（光伏發電系統等）

-儲能系統

-工業設備用電機控制設備

-高頻DC-DC轉換器等設備

-低漏極-源極導通電壓（傳感器）：

VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）

-低開通損耗：

Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

-低關斷損耗：

Eoff＝11mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

-低寄生電感：

LsPN＝12nH（典型值）

注：

[1] 采樣范圍于雙SiC MOSFET模塊。數據基于東芝截至2023年8月的調研。

[2] 測量條件：ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃

[3] 測量條件：VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃

[4] 截至2023年8月，東芝對2300V Si模塊和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3開關損耗進行比較（2300V Si模塊的性能值是東芝根據2023年3月或之前發表的論文做出的預估）。

如需了解相關新產品的更多信息，請訪問以下網址：

MG250YD2YMS3

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.MG250YD2YMS3.html

如需了解東芝碳化硅功率器件的更多信息，請訪問以下網址：

碳化硅功率器件

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html

*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

*本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯系方式等信息，在公告之日仍為新信息，但如有變更，恕不另行通知。

關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進的半導體和存儲解決方案的供應商，公司累積了半個多世紀的經驗和創新，為客戶和合作伙伴提供分立半導體、系統LSI和HDD領域的杰出解決方案。

公司22,200名員工遍布世界各地，致力于實現產品價值的大化，東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協作，旨在促進價值共創，共同開拓新市場，公司現已擁有超過8,598億日元（62億美元）的年銷售額，期待為世界各地的人們建設更美好的未來并做出貢獻。

現貨現款 IC697MDL350 GE 通用電氣 模塊