安全處理器模塊 1768-M04SE 編程簡單易學

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按下功率半導體“加速鍵”

今年市場情形嚴峻，遇冷的大環境逼著企業紛紛“刀刃向內”，削減冗余，控制成本，甚至無奈大幅裁員。相比市場大多數企業，三菱電機半導體呈現出難得的利好態勢：在功率半導體投資擴產和技術布局方面接連傳來重磅消息，并確定了以碳化硅為業務增長關鍵的核心戰略——繼續研發車載產品、加速研發新一代產品、擴大全球銷售。

擴產方面，2023年3月，三菱電機宣布，將在截至2026 年 3 月的五年內將之前宣布的投資計劃翻一番，達到約 2600 億日元，主要用于建設新的晶圓廠，以增加碳化硅 (SiC) 功率半導體的生產。

具體而言，三菱電機計劃在2026年4月開始稼動位于日本熊本縣菊池市（泗水）的碳化硅8英寸晶圓的新工廠。此外，還計劃對碳化硅6英寸晶圓工廠（位于日本熊本縣合志市）進行擴產，到2026年，碳化硅產能預計會擴大至現在的5倍左右。三菱電機半導體大中國區總經理赤田智史透露，預計到2030年，三菱電機SiC功率模塊營收占比將會提升到30%以上。

市場方面，作為三菱電機的核心優勢產品，三菱電機自1994年以來一直在研發 SiC 相關技術及模塊，并在全球率先將其安裝在變頻空調和高速列車中。截止到2022年底，在全球有超過2千6百萬輛汽車的電驅系統使用了三菱電機的硅基和碳化硅基車載功率器件。

據悉，在功率模塊領域，三菱電機在全球市占率中排名。其中，消費類電子用智能功率模塊（Intelligent Power Module）市占率全球，軌道牽引用全碳化硅功率模塊市占率也是全球。赤田智史進一步提到，三菱電機會把業務增長重點放在新能源汽車領域和消費電子領域，同時保持工業、可再生能源和鐵路牽引領域等應用的資源投放。

技術方面，三菱電機擁有多種技術，如在外延、工藝等方面的高質量化合物半導體技術、利用自主研發溝槽(Trench)結構SiC-MOSFET所實現的低功耗芯片技術、業界的小型化與輕量化模塊技術等。三菱電機功率器件制作所首席技術顧問Gourab Majumdar 博士也在發布會上就三菱電機的技術進展做了充分的補充，包括硅基和碳化硅基兩個方面。

以硅基芯片為例，三菱電機研發的硅基IGBT芯片從第3代IGBT到現在第7代IGBT，面積越來越小，每一代IGBT的損耗也在不斷降低。當前，三菱電機已經推出采用更精細結構概念、更新工藝技術的新型RC-IGBT芯片。據悉，新一代RC-IGBT芯片可以改善散熱，以減少熱阻,其損耗也比傳統的RC-IGBT降低了50%左右。

為了進一步強化技術優勢，整合優勢技術資源，2023年7月，三菱電機宣布，已入股Novel Crystal Technology, Inc.。在以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體逐漸進入產業化并加速放量的階段，三菱電機為搶占技術先機按下了“快捷鍵”。

三菱電機期望通過將其在低能量損耗、高可靠性功率半導體的設計和制造方面的知識與Novel Crystal Technology在鎵生產方面的知識相結合，加速其卓越節能氧化鎵功率半導體的開發。

三菱電機功率器件制作所技術顧問近藤晴房表示，碳化硅功率模塊的商業化應用已超過十年時間，現在是時候導入新型的寬禁帶材料。事實上，若干年前，三菱電機就已經展開氧化鎵技術的研究，作為新型半導體材料，氧化鎵肯定會面臨很多技術挑戰，但三菱電機接下來會努力基于氧化鎵的功率芯片和功率器件技術研究。

展望未來，赤田智史表示，三菱電機將會繼續開發適用于工業、可再生能源和鐵路牽引應用領域的創新產品，這是我們業務的基礎。在此基礎上，我們將會投入更多資源在新能源汽車和家電應用領域，實現業務高速增長。

“在晶圓技術方面，我們將會集中精力開發8英寸的SiC芯片和12英寸的Si芯片。秉承著更高附加值、更高規格的產品研發理念以及小型化的產品設計理念。以高應用靈活性、高可靠性、高效率的產品持續幫助客戶解決生產和應用上的問題，同時，依托全球客戶群的規模優勢降低成本，通過為諸多領域提供優勢碳化硅模塊積累的豐富經驗，為各行各業實現綠色轉型做出貢獻。”赤田智史后強調。

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