CPU IC693BEM321 GE通用電氣 指令功能強大
| 更新時間 2024-12-29 13:30:00 價格 673元 / 件 品牌 GE 型號 IC693BEM321 產地 美國 聯系電話 0592-6372630 聯系手機 18030129916 聯系人 蘭順長 立即詢價 |
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三菱電機于2021年11月9日舉行了功率器件業務的業務說明會,并宣布將在未來五年內向功率半導體業務投資1300億日元,直至2025年。近期,三菱電機又有兩個新動作:
與安世半導體簽約,為其供應SiC MOSFET芯片;
發行債券:或將融資超過50億元。
簽單:與安世半導體建立戰略合作
11月13日 ,三菱電機株式會社(TOKYO:6503)宣布,將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系,共同開發面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術開發和供應SiC MOSFET芯片,Nexperia將用于開發SiC分立器件。
Nexperia副總裁兼雙極分立業務部總經理Mark Roeloffzen表示:“與三菱電機的這種互利戰略合作伙伴關系代表了Nexperia碳化硅之旅的重要一步。三菱電機作為技術成熟的碳化硅器件和模塊供應商有著良好的記錄。結合Nexperia在分立產品和封裝方面的高質量標準和知識,我們必將在兩家公司之間產生積極的協同效應,終使我們的客戶能夠在他們所服務的工業、汽車或消費市場中提供高能效產品。
三菱電機半導體與器件執行官兼集團總裁Masayoshi Takemi表示:“Nexperia是工業領域的公司,擁有高質量分立半導體的成熟技術。我們很高興建立這種共同開發合作伙伴關系,這將利用兩家公司的半導體技術。
融資:發行債券計劃籌集資金
11月10日,三菱電機將發行綠色債券,而籌集資金將用于建設SiC功率半導體工廠等。
目前,三菱電機還沒透露具體的綠色債券融資金額,但是預計融資金額會達到50億人民幣左右 。因為在今年3月,三菱電機宣布投資約51億元人民幣,在日本熊本縣建設新的8英寸SiC晶圓廠,主要用于生產8英寸SiC晶圓。
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